TL;DR
· 高盛 6 月 DRAM 情绪指标维持「温和正面」，将三星 2027 年 HBM 涨价预期从 14% 上调至 44%。
· DDR5 现货价自 5 月以来涨 20%，较 5 月合约价溢价 25%，传统 DRAM 涨价抬高 HBM 谈判参照。
· 韩国出口和南亚科收入支持景气判断，但手机需求偏弱，44% 涨价仍是预测而非公司指引。

高盛在 6 月 30 日发布的 DRAM 情绪指标中维持对行业「温和正面」判断，并将三星电子 2027 年 HBM 价格增速预期从此前的 14% 上调至 44%。

这不是已经发生的涨价，也不是三星给出的公司指引，而是高盛基于 HBM 供需、传统 DRAM 价格和下游需求作出的预测。它之所以值得关注，是因为 HBM 是 AI 服务器中与 GPU 配套的高带宽内存，直接影响英伟达、AMD 等 AI 加速卡供货，也决定三星、SK 海力士、美光等存储厂商明年的利润弹性。

更直接的变化来自传统 DRAM。按高盛跟踪口径，DDR5 现货价自 5 月 1 日以来上涨 20%，较 5 月合约价溢价 25%。DDR4 同期上涨 11%，较 5 月合约价溢价 45%。当普通 DRAM 涨价变得更明显，HBM 明年合约谈判的参照价格也被抬高。

DDR5 自 5 月以来上涨 20%、较合约价溢价 25%；DDR4 上涨 11%、溢价 45%。

HBM 涨价预期上调，传统内存也在变贵

这次报告最有冲击力的调整，是把三星 2027 年 HBM 价格增速预期从 14% 上调至 44%。在高盛模型中，如果 HBM 供需继续偏紧、传统 DRAM 与 HBM 价格差距继续扩大，这一预测还有上调可能。

背后的逻辑并不复杂。DDR5、DDR4 等传统内存价格持续走强，存储厂商在与云厂商、AI 芯片公司讨论下一年 HBM 供应合同时，议价基础会更强。HBM 产能转换难度更高，客户认证周期更长，供给弹性低于普通 DRAM。一旦 AI 服务器需求继续扩张，价格谈判更容易向卖方倾斜。

6 月 DRAM 情绪指标维持「温和正面」，与 4 月一致。现货报价、服务器相关收入、韩国出口、台湾厂商收入等多数分项仍在向上。拖累项主要来自三星 DRAM 平均售价增速的二阶变化，也就是涨价速度可能在二季度后放缓，但绝对价格仍处于上行区间。

这里需要区分两个口径。44% 是高盛对三星 2027 年 HBM 价格增长的预测，不是已经落地的报价。「仍有上行可能」也建立在 HBM 供需继续紧张、传统 DRAM 价格继续强势的假设上。

出口和收入数据在配合涨价故事

价格上涨之外，5 月的出口和收入数据也在强化存储周期偏暖的判断。

韩国官方数据已经能看到 DRAM 出口的强度。韩国 MOTIR 数据显示，2026 年 5 月韩国出口总额 878 亿美元，同比增长 53.2%。其中 DRAM 出口 186 亿美元，同比增长 369.8%，NAND 出口同比增长 206.8%。

高盛口径还显示，韩国 5 月 DRAM 出口收入环比增长 21%，并较 3 月前高高出 21%。这部分环比和纪录高位判断依赖源报告口径，但与官方同比高增方向一致。

台湾厂商的数据更直接反映 DDR4 价格弹性。南亚科技公告显示，2026 年 5 月合并营收 276.70 亿新台币，环比增长 8.55%，同比增长 730.14%，已连续多月保持高增。高盛跟踪的分销商至上电子 5 月收入同比增长 253%、环比增长 54%。这些数据说明，涨价并不只是报价屏幕上的变化，已经反映到部分厂商收入端。

韩国 5 月 DRAM 出口收入同比增长 370%、环比增长 21%，再创高位。

服务器链条也在提供需求侧支撑。高盛跟踪数据显示，5 月台湾服务器 ODM 厂商月收入同比增长 53%，背后是机柜级 AI 服务器出货提升，以及 ASIC AI 服务器增长。全球服务器 BMC 主要供应商信骅 5 月收入同比增长 69%，在去年同期高基数上继续增长。

这组数据共同指向一个结果：AI 服务器和传统服务器需求仍在消化更高内存价格。只要下游愿意接受涨价，存储厂商对 2027 年 HBM 合约的谈判底气就不会太弱。

DDR5 涨 20%，比单一 HBM 故事更关键

相比单独讨论 HBM，DDR5 现货价的表现更能解释这次预期上调。

DDR5 是服务器和高端 PC 中的主流内存规格，也是 AI 服务器系统中除 HBM 外的重要组成部分。自 5 月初以来，DDR5 现货价格已经上涨 20%，并较 5 月合约价高出 25%。现货市场愿意用更高价格抢货，通常会给后续合约价谈判带来压力。

DDR4 也没有掉队。虽然 DDR4 不是最新一代内存，但在部分服务器、PC、工控和消费电子场景中仍有需求。供给收缩后，老产品线价格更容易被推高。DDR4 现货价自 5 月 1 日以来上涨 11%，较 5 月合约价溢价 45%，显示紧张不只发生在高端内存。

对存储厂商来说，传统 DRAM 涨价有两层意义。一是当期收入和利润改善，二是改变 HBM 相对价格关系。如果普通 DRAM 价格向上，HBM 作为更高端、更紧缺的产品，价格折让空间会变小，明年涨价预期也更容易被接受。

三星 2Q26E DRAM ASP 预计环比上涨约 46%，3Q26E、4Q26E 涨幅放缓至 15% 和 7%。

不过，涨价节奏并非一路加速。高盛对三星 2Q26E DRAM 平均售价的估计是环比上涨约 46%，随后 3Q26E、4Q26E 分别放缓至 15% 和 7%。价格仍可能继续涨，但涨幅最快的阶段可能出现在二季度，不能把二季度高增速直接外推到全年。

手机需求拖后腿，目标价也取决于涨价兑现

DRAM 涨价故事还有一个边界：终端需求并不是所有环节都同步转暖。

按高盛中国团队跟踪口径，中国智能手机 5 月出货同比增长 19%、环比增长 7%，已经连续两个月同比增长。但 2026 年至今累计出货量基本与 2025 年持平，2Q26 出货仍被预计同比下滑 14%，主要原因是内存价格上涨可能拖累终端需求。公开机构对中国手机销售的统计口径也存在差异，Counterpoint 曾提到五一期间中国智能手机销量同比下滑 16%。

涨价本身会反过来压制部分消费电子需求。AI 服务器和云厂商对高价内存的承受能力更强，但手机、PC 等终端如果无法顺利转嫁成本，可能减少采购、压低配置，或推迟补库存。

三星电子仍是这条主线中最直接的上市公司之一。高盛维持三星普通股和优先股「买入」评级，12 个月普通股目标价为 48 万韩元，优先股目标价为 36 万韩元。这个目标价是高盛自身预测，并非市场一致预期，也明显受 2026 至 2027 年存储价格假设影响。

下行风险同样清楚：内存供需显著恶化、智能手机利润率急剧收缩，以及移动 OLED 市场份额流失。如果 AI 服务器需求不及预期，或传统 DRAM 涨价压垮部分终端需求，HBM 明年 44% 的价格增长预期就可能被下修。传统 DRAM 现货涨价、韩国出口高增和台湾厂商收入暴增，正在给这轮涨价预期提供支撑，但最终能否兑现，仍取决于 AI 服务器需求、HBM 供给释放速度，以及消费电子能否承受更贵的内存。

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