台积电拟进军先进内存芯片制造 应英伟达要求布局3D DRAM

11月6日消息，据The Information报道，两名消息人士表示，台积电(TSM.N)正在考虑扩展到先进内存芯片制造领域，这一举措将使全球最大的芯片制造商在AI硬件供应链中占据更大份额。台积电(TSM.N)最近开始制定生产一种特定类型的先进内存芯片——3D DRAM的计划，响应其最大用户英伟达(NVDA.O)的请求。DRAM，即动态随机存取内存，在处理器使用数据时保存数据。与传统DRAM不同，传统DRAM将内存单元放在单层中，而3D DRAM则将单元垂直堆叠以容纳更多内存。内存芯片制造目前由三星电子、SK海力士和美光科技主导。这三家公司也在开发3D DRAM技术，展开下一代内存制造的竞争。这场由AI硬件热潮引发的内存芯片严重短缺，导致价格飙升，并促使英伟达和苹果等芯片设计公司寻找额外的供应来源。今年早些时候，苹果因内存成本上升而提高了其设备的价格。